Kadmiumarsenidi Cd₃As₂|GaAs InAs Nb₃As₂

Kuvaus

Kadmiumarsenidi Cd₃As₂5N 99,999 %,väri tummanharmaa, tiheys 6,211g/cm³, sulamispiste 721°C, molekyyli 487.04, CAS12006-15-4, liukenee typpihappoon HNO₃ ja stabiilisuus ilmassa, on syntetisoitu yhdistemateriaali, joka sisältää erittäin puhdasta kadmiumia ja arseenia.Kadmiumarsenidi on II-V-perheen epäorgaaninen puolimetalli, ja sillä on Nernst-ilmiö.Bridgmanin kasvatusmenetelmällä kasvatettu kadmiumarsenidikide, ei-kerroksinen bulkki-Dirac-puolimetallirakenne, on rappeutunut N-tyypin II-V puolijohde tai kapearakoinen puolijohde, jolla on korkea kantoaallon liikkuvuus, pieni tehollinen massa ja erittäin ei-parabolinen johtuminen. bändi.Kadmiumarsenidi Cd₃As₂ tai CdAs on kiteinen kiinteä aine ja sitä käytetään yhä enemmän puolijohteessa ja valooptisissa kentissä, kuten infrapunatunnistimissa, joissa käytetään Nernst-efektiä, ohutkalvon dynaamisissa paineantureissa, laserissa, valodiodeissa LED, kvanttipisteissä, tehdä magnetoresistoreita ja valoilmaisimia.Arsenidi GaAs:n, Indium Arsenide InAs:n ja Niobium Arsenidin NbAs tai Nb arsenidiyhdisteet₅As₃Löydä lisää sovellusta elektrolyyttimateriaalina, puolijohdemateriaalina, QLED-näytönä, IC-kentässä ja muissa materiaalikentissä.

Toimitus

Kadmiumarsenidi Cd₃As₂ja galliumarsenidi GaAs, indiumarsenidi InAs ja niobium arsenide NbAs tai Nb₅As₃Western Minmetals (SC) Corporationissa, jonka puhtausaste on 99,99 % 4N ja 99,999 % 5N, on kooltaan monikiteistä mikrojauhetta -60 mesh, -80 mesh, nanopartikkeli, pala 1-20 mm, rakeet 1-6 mm, pala, aihio, bulkkikide ja yksikide jne. . tai räätälöitynä eritelmänä täydellisen ratkaisun saavuttamiseksi.