CZ Silicon Wafer

Kuvaus

CZ Single Crystal Silicon Wafer on leikattu yksikidepiiharkista, joka on vedetty Czochralski CZ -kasvatusmenetelmällä, jota käytetään laajimmin elektroniikkateollisuudessa puolijohdelaitteiden valmistukseen käytettävien suurten sylinterimäisten harkojen piikiteiden kasvattamiseen.Tässä prosessissa ohut kristallipiin siemen, jolla on tarkat suuntatoleranssit, viedään sulaan piikylpyyn, jonka lämpötilaa säädellään tarkasti.Siemenkide vedetään hitaasti ylöspäin sulatuksesta hyvin kontrolloidulla nopeudella, nestefaasista peräisin olevien atomien kiteinen jähmettyminen tapahtuu rajapinnassa, siemenkide ja upokas pyörivät vastakkaisiin suuntiin tämän poistoprosessin aikana, jolloin muodostuu suuri yksittäinen kristallipii, jolla on siemenen täydellinen kiderakenne.

Normaalissa CZ-harkon vetämisessä käytetyn magneettikentän ansiosta magneettikentän aiheuttama Czochralski MCZ -yksikidepii on suhteellisen alhaisemmalla epäpuhtauspitoisuudella, alhaisemmalla happipitoisuudella ja -sijoituksella ja tasaisella resistiivisyyden vaihtelulla, joka toimii hyvin korkean teknologian elektronisissa komponenteissa ja laitteissa. valmistus elektroniikka- tai aurinkosähköteollisuudessa.

Toimitus

CZ tai MCZ Single Crystal Silicon Wafer n-tyypin ja p-tyypin johtavuus Western Minmetals (SC) Corporationille voidaan toimittaa halkaisijaltaan 2, 3, 4, 6, 8 ja 12 tuumaa (50, 75, 100, 125, 150, 200 ja 300 mm), suunta <100>, <110>, <111>, pintakäsittely läppätty, syövytetty ja kiillotettu vaahtomuovilaatikossa tai -kasetissa pahvilaatikon ulkopuolella.

Kysely nyt

Yksityiskohdat

Tunnisteet

Tekniset ominaisuudet

CZ Silicon Wafer

CZ Single Crystal Silicon Wafer on perusmateriaali integroitujen piirien, diodien, transistoreiden, erillisten komponenttien valmistuksessa, jota käytetään kaikentyyppisissä elektronisissa laitteissa ja puolijohdelaiteissa, sekä substraattina epitaksiaalisessa prosessoinnissa, SOI-kiekkojen substraattien tai puolieristyskiekkojen valmistuksessa, erityisesti suurissa 200 mm, 250 mm ja 300 mm halkaisijat ovat optimaalisia erittäin integroitujen laitteiden valmistukseen.Aurinkosähköteollisuus käyttää Single Crystal Siliconia myös suuria määriä aurinkokennoissa, mikä lähes täydellinen kiderakenne tuottaa korkeimman valon ja sähkön muunnostehokkuuden.

Ei.	Tuotteet	Vakiomääritys
1	Koko	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Halkaisija mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5	200±0,5	300±0,5
3	Johtavuus	P tai N tai seostusaineeton
4	Suuntautuminen	<100>, <110>, <111>
5	Paksuus μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 tai tarpeen mukaan
6	Resistanssi Ω-cm	≤0,005, 0,005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 jne
7	RRV max	8 %, 10 %, 12 %
8	Ensisijainen litteä/pituus mm	SEMI-standardin mukaan tai tarpeen mukaan
9	Toissijainen litteä/pituus mm	SEMI-standardin mukaan tai tarpeen mukaan
10	TTV μm max	10	10	10	10	10	10
11	Jousi ja loimi μm max	30	30	30	30	30	30
12	Pinnan viimeistely	As-cut, L/L, P/E, P/P
13	Pakkaus	Vaahtomuovilaatikko tai -kasetti sisällä, pahvilaatikko ulkopuolella.

Symboli	Si
Atominumero	14
Atomipaino	28.09
Elementtiluokka	Metalloidi
Ryhmä, jakso, lohko	14, 3, s
Kristallirakenne	Timantti
Väri	Tumman harmaa
Sulamispiste	1414°C, 1687,15 K
Kiehumispiste	3265°C, 3538,15 K
Tiheys 300K	2,329 g/cm³
Sisäinen resistanssi	3,2E5 Ω-cm
CAS-numero	7440-21-3
EY-numero	231-130-8

CZ tai MCZ Single Crystal Silicon WaferWestern Minmetals (SC) Corporationin n-tyypin ja p-tyypin johtavuus voidaan toimittaa halkaisijaltaan 2, 3, 4, 6, 8 ja 12 tuuman kokoisina (50, 75, 100, 125, 150, 200 ja 300 mm), Suunta <100>, <110>, <111>, pintaviimeistely leikattu, läppätty, syövytetty ja kiillotettu vaahtomuovilaatikossa tai kasetissa pahvilaatikon ulkopuolella.