Indium Arsenide InAs

Kuvaus

Indiumarsenidi-InAs-kide on ryhmän III-V yhdistepuolijohde, joka on syntetisoitu vähintään 6N 7N puhtaalla indium- ja arseenielementillä ja kasvatettu yksikiteeksi VGF- tai Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) -prosessilla, värin harmaa, kuutiokiteitä sinkkisekoitusrakenteella , sulamispiste 942 °C.Indiumarsenidin kaistaväli on suora siirtymä, joka on identtinen galliumarsenidin kanssa, ja kielletty kaistanleveys on 0,45 eV (300 K).InAs-kiteellä on korkea sähköisten parametrien tasaisuus, vakiohila, korkea elektronien liikkuvuus ja pieni virhetiheys.VGF:llä tai LEC:llä kasvatettu sylinterimäinen InAs-kide voidaan viipaloida ja valmistaa kiekkoksi leikatuksi, syövytetyksi, kiillotetuksi tai epitaksivalmiiksi MBE- tai MOCVD-epitaksiaalista kasvua varten.

Sovellukset

Indiumarsenidikidekiekko on erinomainen alusta Hall-laitteiden ja magneettikenttäanturin valmistukseen sen ylivoimaisen hallin liikkuvuuden, mutta kapean energiakaistan vuoksi. Se on ihanteellinen materiaali infrapunailmaisimien rakentamiseen, joiden aallonpituusalue on 1–3,8 µm, ja joita käytetään tehokkaampiin sovelluksiin. huoneenlämmössä sekä keskiaallonpituisten infrapunasuperhilalaserien, keskipitkän infrapuna-LED-laitteiden valmistus sen 2-14 μm aallonpituusalueelle.Lisäksi InAs on ihanteellinen substraatti tukemaan edelleen heterogeenista InGaAs-, InAsSb-, InAsPSb- ja InNAsSb- tai AlGaSb-superhilarakennetta jne.

Kysely nyt

Yksityiskohdat

Tunnisteet

Tekniset ominaisuudet

Indiumarsenidi

InAs

Indium-arsenidikristallikiekkoon loistava substraatti Hall-laitteiden ja magneettikenttäsensorien valmistukseen sen ylivoimaisen hallin liikkuvuuden, mutta kapean energiakaistan vuoksi, ihanteellinen materiaali infrapunailmaisimien rakentamiseen, joiden aallonpituusalue on 1–3,8 µm, joita käytetään suuremmissa tehosovelluksissa huoneenlämpötilassa. sekä keskiaallonpituuden infrapuna-superhilalaserit, keski-infrapuna-LED-laitteiden valmistus sen 2-14 μm aallonpituusalueelle.Lisäksi InAs on ihanteellinen substraatti tukemaan edelleen heterogeenista InGaAs-, InAsSb-, InAsPSb- ja InNAsSb- tai AlGaSb-superhilarakennetta jne.

Ei.	Tuotteet	Vakiomääritys
1	Koko	2"	3"	4"
2	Halkaisija mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Kasvumenetelmä	LEC	LEC	LEC
4	Johtavuus	P-tyyppi/Zn-seostettu, N-tyyppi/S-seostettu, seostamaton
5	Suuntautuminen	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Paksuus μm	500±25	600±25	800±25
7	Suunta Litteä mm	16±2	22±2	32±2
8	Tunnistus Litteä mm	8±1	11±1	18±1
9	Liikkuvuus cm2/Vs	60-300, ≥ 2000 tai tarpeen mukaan
10	Kantoainepitoisuus cm-3	(3-80)E17 tai ≤5E16
11	TTV μm max	10	10	10
12	Keula μm max	10	10	10
13	Loimi μm max	15	15	15
14	Dislokaatiotiheys cm-2 max	1000	2000	5000
15	Pinnan viimeistely	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pakkaus	Yksittäinen kiekkosäiliö suljetussa alumiinipussissa.

Lineaarinen kaava	InAs
Molekyylipaino	189,74
Kristallirakenne	Sinkki sekoitus
Ulkomuoto	Harmaa kiteinen kiinteä aine
Sulamispiste	(936 - 942) °C
Kiehumispiste	Ei käytössä
Tiheys 300K	5,67 g/cm³
Energiavaje	0,354 eV
Sisäinen resistanssi	0,16 Ω-cm
CAS-numero	1303-11-3
EY-numero	215-115-3

Indium Arsenide InAsWestern Minmetals (SC) Corporationilta voidaan toimittaa monikiteisinä palana tai yksikiteisinä leikattuina, syövytettyinä, kiillotettuina tai epi-valmiina kiekkoina, joiden halkaisija on 2” 3” ja 4” (50 mm, 75 mm, 100 mm) ja p-tyypin, n-tyypin tai seostamaton johtavuus ja <111>- tai <100>-orientaatio.Räätälöity spesifikaatio on täydellinen ratkaisu asiakkaillemme maailmanlaajuisesti.