FZ Silicon Wafer

Kuvaus

FZ Single Crystal Silicon Wafer,Float-zone (FZ) Silicon on erittäin puhdasta piitä, jossa on erittäin alhainen happi- ja hiiliepäpuhtauksien pitoisuus, jota vetää pystysuoran kelluvan alueen jalostusteknologia.FZ Kelluva vyöhyke on yksikideharkon kasvatusmenetelmä, joka eroaa CZ-menetelmästä, jossa siemenkide kiinnitetään monikiteisen piiharkon alle ja siemenkiteen ja monikiteisen kidepiin välinen raja sulatetaan RF-kelan induktiokuumennuksen avulla yksittäiskiteytystä varten.RF-kela ja sulavyöhyke liikkuvat ylöspäin, ja yksikide jähmettyy siemenkiteen päälle vastaavasti.Float-vyöhykepii on taattu tasaisella lisäaineen jakautumisella, pienemmällä resistiivisyyden vaihtelulla, rajoitetulla epäpuhtauksien määrillä, huomattavalla kantajan käyttöiällä, korkealla resistiivisellä tavoitteella ja erittäin puhtaalla piillä.Float-zone-pii on erittäin puhdas vaihtoehto Czochralski CZ -prosessilla kasvatetuille kiteille.Tämän menetelmän ominaisuuksien ansiosta FZ Single Crystal Silicon sopii erinomaisesti käytettäväksi elektronisten laitteiden valmistuksessa, kuten diodeissa, tyristoreissa, IGBT:issä, MEMS:issä, diodeissa, RF-laitteissa ja teho-MOSFETeissa tai korkearesoluutioisten hiukkasten tai optisten ilmaisimien substraattina. , teholaitteet ja anturit, tehokas aurinkokenno jne.

Toimitus

Western Minmetals (SC) Corporationin FZ Single Crystal Silicon Wafer N- ja P-tyypin johtavuus voidaan toimittaa 2, 3, 4, 6 ja 8 tuuman (50 mm, 75 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm ja 200 mm) kokoisina. Suunta <100>, <110>, <111>, pintaviimeistely As-cut, Lippaus, etsattu ja kiillotettu vaahtomuovilaatikossa tai kasetissa pahvilaatikon ulkopuolella.